Valence band offset of GaN/diamond heterojunction measured by X-ray photoelectron spectroscopy: Fid-Bau Portal

Valence band offset of GaN/diamond heterojunction measured by X-ray photoelectron spectroscopy

Shi, K. / Liu, X. L. / Li, D. B. / Wang, J. / Song, H. P. / Xu, X. Q. / Wei, H. Y. / Jiao, C. M. / Yang, S. Y. / Song, H.

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Titel:

Valence band offset of GaN/diamond heterojunction measured by X-ray photoelectron spectroscopy

Beteiligte:

Shi, K. (Autor:in) / Liu, X. L. (Autor:in) / Li, D. B. (Autor:in) / Wang, J. (Autor:in) / Song, H. P. (Autor:in) / Xu, X. Q. (Autor:in) / Wei, H. Y. (Autor:in) / Jiao, C. M. (Autor:in) / Yang, S. Y. (Autor:in) / Song, H. (Autor:in)

Erschienen in:

APPLIED SURFACE SCIENCE ; 257 ; 8110-8112

Erscheinungsdatum:

01.01.2011

Format / Umfang:

3 pages

ISSN:

0169-4332

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

DDC: 621.35

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