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    Titel:

    Improved Electrical Properties and Thermal Stability of GeON Gate Dielectrics Formed by Plasma Nitridation of Ultrathin Oxides on Ge(100)

    Beteiligte:

    Watanabe, H. (Autor:in) / Kutsuki, K. (Autor:in) / Hideshima, I. (Autor:in) / Okamoto, G. (Autor:in) / Hosoi, T. (Autor:in) / Shimura, T. (Autor:in) / Miyazaki, S. / Tabata, H.

    Erschienen in:

    Technology Evolution for Silicon Nano-Electronics ; 152-157

    KEY ENGINEERING MATERIALS ; 470

    Erscheinungsdatum:

    01.01.2011

    Format / Umfang:

    6 pages

    ISSN:

    1013-9826

    Medientyp:

    Aufsatz (Zeitschrift)

    Format:

    Print

    Sprache:

    Englisch

    Klassifikation:

    DDC:  620.11

    © Metadata Copyright the British Library Board and other contributors. All rights reserved.

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