Thermal stability, microstructure, and electrical properties of atomic layer deposited Hf~6Ta~2O~1~7 gate dielectrics: Fid-Bau Portal

Thermal stability, microstructure, and electrical properties of atomic layer deposited Hf~6Ta~2O~1~7 gate dielectrics

Triyoso, D. H. / Yu, Z. / Gregory, R. / Moore, K. / Fejes, P. / Schauer, S.

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Titel:

Thermal stability, microstructure, and electrical properties of atomic layer deposited Hf~6Ta~2O~1~7 gate dielectrics

Beteiligte:

Triyoso, D. H. (Autor:in) / Yu, Z. (Autor:in) / Gregory, R. (Autor:in) / Moore, K. (Autor:in) / Fejes, P. (Autor:in) / Schauer, S. (Autor:in)

Erschienen in:

JOURNAL OF MATERIALS RESEARCH -PITTSBURGH THEN WARRENDALE- ; 22 ; 2856-2862

Erscheinungsdatum:

01.01.2007

Format / Umfang:

7 pages

ISSN:

0884-2914

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

DDC: 620.11

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