Formation of a-Si1-xCx:H and nc-SiC films grown by HWCVD under different process pressure: Fid-Bau Portal

Formation of a-Si1-xCx:H and nc-SiC films grown by HWCVD under different process pressure

Wu, T. / Shen, H. / Cheng, B. / Pan, Y. / Liu, B. / Shen, J.

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Titel:

Formation of a-Si1-xCx:H and nc-SiC films grown by HWCVD under different process pressure

Beteiligte:

Wu, T. (Autor:in) / Shen, H. (Autor:in) / Cheng, B. (Autor:in) / Pan, Y. (Autor:in) / Liu, B. (Autor:in) / Shen, J. (Autor:in)

Erschienen in:

APPLIED SURFACE SCIENCE ; 258 ; 999-1003

Erscheinungsdatum:

01.01.2011

Format / Umfang:

5 pages

ISSN:

0169-4332

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

DDC: 621.35

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