Dislocation Formation in Epitaxial Film by Propagation of Shallow Dislocations on 4H-SiC Substrate: Fid-Bau Portal

Dislocation Formation in Epitaxial Film by Propagation of Shallow Dislocations on 4H-SiC Substrate

Ishikawa, Y. / Sato, K. / Okamoto, Y. / Hayashi, N. / Yao, Y. / Sugawara, Y.

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Titel:

Dislocation Formation in Epitaxial Film by Propagation of Shallow Dislocations on 4H-SiC Substrate

Beteiligte:

Ishikawa, Y. (Autor:in) / Sato, K. (Autor:in) / Okamoto, Y. (Autor:in) / Hayashi, N. (Autor:in) / Yao, Y. (Autor:in) / Sugawara, Y. (Autor:in)

Erschienen in:

MATERIALS SCIENCE FORUM ; 717/720 ; 383-386

Erscheinungsdatum:

01.01.2012

Format / Umfang:

4 pages

ISSN:

0255-5476

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

DDC: 620.11

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