Electron Trapping in 4H-SiC MOS Capacitors Fabricated by Sodium-Enhanced Oxidation: Fid-Bau Portal

Electron Trapping in 4H-SiC MOS Capacitors Fabricated by Sodium-Enhanced Oxidation

Basile, A.F. / Ahyi, A.C. / Feldman, L.C. / Williams, J.R. / Mooney, P.M.

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Titel:

Electron Trapping in 4H-SiC MOS Capacitors Fabricated by Sodium-Enhanced Oxidation

Beteiligte:

Basile, A.F. (Autor:in) / Ahyi, A.C. (Autor:in) / Feldman, L.C. (Autor:in) / Williams, J.R. (Autor:in) / Mooney, P.M. (Autor:in)

Erschienen in:

MATERIALS SCIENCE FORUM ; 717/720 ; 757-760

Erscheinungsdatum:

01.01.2012

Format / Umfang:

4 pages

ISSN:

0255-5476

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

DDC: 620.11

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