Fully Ion Implanted Vertical p-i-n Diodes on High Purity Semi-Insulating 4H-SiC Wafers: Fid-Bau Portal

Fully Ion Implanted Vertical p-i-n Diodes on High Purity Semi-Insulating 4H-SiC Wafers

Nipoti, R. / Nath, A. / Tian, Y.L. / Tamarri, F. / Moscatelli, F. / De Nicola, P. / Rao, M.V.

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Titel:

Fully Ion Implanted Vertical p-i-n Diodes on High Purity Semi-Insulating 4H-SiC Wafers

Beteiligte:

Nipoti, R. (Autor:in) / Nath, A. (Autor:in) / Tian, Y.L. (Autor:in) / Tamarri, F. (Autor:in) / Moscatelli, F. (Autor:in) / De Nicola, P. (Autor:in) / Rao, M.V. (Autor:in)

Erschienen in:

MATERIALS SCIENCE FORUM ; 717/720 ; 985-988

Erscheinungsdatum:

01.01.2012

Format / Umfang:

4 pages

ISSN:

0255-5476

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

DDC: 620.11

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