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    Erratum to “Selective epitaxial growth of Si1−xGex films via the alternating gas supply of Si2H6, GeH4, and Cl2: Effects of Cl2 exposure” [Mater. Lett. (2012) 89–92]

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    Titel:

    Erratum to “Selective epitaxial growth of Si1−xGex films via the alternating gas supply of Si2H6, GeH4, and Cl2: Effects of Cl2 exposure” [Mater. Lett. (2012) 89–92]

    Beteiligte:

    Park, S. J. (Autor:in) / Baik, S. (Autor:in) / Kim, H. (Autor:in)

    Erschienen in:

    MATERIALS LETTERS ; 89 ; 354-355

    Erscheinungsdatum:

    01.01.2012

    Format / Umfang:

    2 pages

    ISSN:

    0167-577X

    Medientyp:

    Aufsatz (Zeitschrift)

    Format:

    Print

    Sprache:

    Englisch

    Klassifikation:

    DDC:  620.1105 / 530

    © Metadata Copyright the British Library Board and other contributors. All rights reserved.

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