Defect Generation and Annihilation in 3C-SiC-(001) Homoepitaxial Growth by Sublimation: Fid-Bau Portal

Defect Generation and Annihilation in 3C-SiC-(001) Homoepitaxial Growth by Sublimation

Hens, P. / Muller, J. / Wagner, G. / Liljedahl, R. / Spiecker, E. / Syvajarvi, M.

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Titel:

Defect Generation and Annihilation in 3C-SiC-(001) Homoepitaxial Growth by Sublimation

Beteiligte:

Hens, P. (Autor:in) / Muller, J. (Autor:in) / Wagner, G. (Autor:in) / Liljedahl, R. (Autor:in) / Spiecker, E. (Autor:in) / Syvajarvi, M. (Autor:in) / Lebedev, A.A. / Davydov, S.Y. / Ivanov, P.A. / Levinshtein, M.E.

Erschienen in:

Silicon Carbide and Related Materials 2012 Selected, peer reviewed papers from the 9th European Conference on Silicon Carbide and Related Materials (ECSCRM 2012), September 2-6, 2012, St. Petersburg, Russian Federation ; 283-286

MATERIALS SCIENCE FORUM ; 740/742

Erscheinungsdatum:

01.01.2013

Format / Umfang:

4 pages

ISSN:

0255-5476

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

DDC: 620.11

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