Gate Oxide Stability of 4H-SiC MOSFETs under On/Off-State Bias-Temperature Stress: Fid-Bau Portal

Gate Oxide Stability of 4H-SiC MOSFETs under On/Off-State Bias-Temperature Stress

Tadjer, M.J. / Constant, A. / Godignon, P. / Martin-Horcajo, S. / Bosca, A. / Calle, F. / Berthou, M. / Millan, J.

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Titel:

Gate Oxide Stability of 4H-SiC MOSFETs under On/Off-State Bias-Temperature Stress

Beteiligte:

Tadjer, M.J. (Autor:in) / Constant, A. (Autor:in) / Godignon, P. (Autor:in) / Martin-Horcajo, S. (Autor:in) / Bosca, A. (Autor:in) / Calle, F. (Autor:in) / Berthou, M. (Autor:in) / Millan, J. (Autor:in) / Lebedev, A.A. / Davydov, S.Y.

Erschienen in:

Silicon Carbide and Related Materials 2012 Selected, peer reviewed papers from the 9th European Conference on Silicon Carbide and Related Materials (ECSCRM 2012), September 2-6, 2012, St. Petersburg, Russian Federation ; 553-556

MATERIALS SCIENCE FORUM ; 740/742

Erscheinungsdatum:

01.01.2013

Format / Umfang:

4 pages

ISSN:

0255-5476

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

DDC: 620.11

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