900V, 1.46mOhm-cm^2 4H-SiC Depletion Mode Vertical JFET: Fid-Bau Portal

900V, 1.46mOhm-cm^2 4H-SiC Depletion Mode Vertical JFET

Chatty, K. / Sheridan, D.C. / Bondarenko, V. / Schrader, R. / Casady, J.B.

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Titel:

900V, 1.46mOhm-cm^2 4H-SiC Depletion Mode Vertical JFET

Beteiligte:

Chatty, K. (Autor:in) / Sheridan, D.C. (Autor:in) / Bondarenko, V. (Autor:in) / Schrader, R. (Autor:in) / Casady, J.B. (Autor:in) / Lebedev, A.A. / Davydov, S.Y. / Ivanov, P.A. / Levinshtein, M.E.

Erschienen in:

Silicon Carbide and Related Materials 2012 Selected, peer reviewed papers from the 9th European Conference on Silicon Carbide and Related Materials (ECSCRM 2012), September 2-6, 2012, St. Petersburg, Russian Federation ; 915-920

MATERIALS SCIENCE FORUM ; 740/742

Erscheinungsdatum:

01.01.2013

Format / Umfang:

6 pages

ISSN:

0255-5476

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

DDC: 620.11

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