Evaluation of the Drive Circuit for a Dual Gate Trench SiC JFET: Fid-Bau Portal

Evaluation of the Drive Circuit for a Dual Gate Trench SiC JFET

Rabkowski, J. / Peftitsis, D. / Bakowski, M. / Nee, H.P.

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Titel:

Evaluation of the Drive Circuit for a Dual Gate Trench SiC JFET

Beteiligte:

Rabkowski, J. (Autor:in) / Peftitsis, D. (Autor:in) / Bakowski, M. (Autor:in) / Nee, H.P. (Autor:in) / Lebedev, A.A. / Davydov, S.Y. / Ivanov, P.A. / Levinshtein, M.E.

Erschienen in:

Silicon Carbide and Related Materials 2012 Selected, peer reviewed papers from the 9th European Conference on Silicon Carbide and Related Materials (ECSCRM 2012), September 2-6, 2012, St. Petersburg, Russian Federation ; 946-949

MATERIALS SCIENCE FORUM ; 740/742

Erscheinungsdatum:

01.01.2013

Format / Umfang:

4 pages

ISSN:

0255-5476

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

DDC: 620.11

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