Design and Characterization of a Novel Dual-Gate 3.3 Kv 4H-Sic JFET: Fid-Bau Portal

Design and Characterization of a Novel Dual-Gate 3.3 Kv 4H-Sic JFET

Chevalier, F. / Brosselard, P. / Tournier, D. / Grosset, G. / Dupuy, L. / Planson, D.

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Titel:

Design and Characterization of a Novel Dual-Gate 3.3 Kv 4H-Sic JFET

Beteiligte:

Chevalier, F. (Autor:in) / Brosselard, P. (Autor:in) / Tournier, D. (Autor:in) / Grosset, G. (Autor:in) / Dupuy, L. (Autor:in) / Planson, D. (Autor:in) / Lebedev, A.A. / Davydov, S.Y. / Ivanov, P.A. / Levinshtein, M.E.

Erschienen in:

Silicon Carbide and Related Materials 2012 Selected, peer reviewed papers from the 9th European Conference on Silicon Carbide and Related Materials (ECSCRM 2012), September 2-6, 2012, St. Petersburg, Russian Federation ; 938-941

MATERIALS SCIENCE FORUM ; 740/742

Erscheinungsdatum:

01.01.2013

Format / Umfang:

4 pages

ISSN:

0255-5476

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

DDC: 620.11

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