4H-SiC Digital Logic Circuitry Based on P+ Implanted Isolation Walls MESFET Technology: Fid-Bau Portal

4H-SiC Digital Logic Circuitry Based on P+ Implanted Isolation Walls MESFET Technology

Alexandru, M. / Banu, V. / Godignon, P. / Vellvehi, M. / Millan, J.

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Titel:

4H-SiC Digital Logic Circuitry Based on P+ Implanted Isolation Walls MESFET Technology

Beteiligte:

Alexandru, M. (Autor:in) / Banu, V. (Autor:in) / Godignon, P. (Autor:in) / Vellvehi, M. (Autor:in) / Millan, J. (Autor:in) / Lebedev, A.A. / Davydov, S.Y. / Ivanov, P.A. / Levinshtein, M.E.

Erschienen in:

Silicon Carbide and Related Materials 2012 Selected, peer reviewed papers from the 9th European Conference on Silicon Carbide and Related Materials (ECSCRM 2012), September 2-6, 2012, St. Petersburg, Russian Federation ; 1048-1051

MATERIALS SCIENCE FORUM ; 740/742

Erscheinungsdatum:

01.01.2013

Format / Umfang:

4 pages

ISSN:

0255-5476

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

DDC: 620.11

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