MBE Growth of 2.3μm InGaAsSb/AlGaAsSb Strained Multiple Quantum Well Diode Lasers: Fid-Bau Portal

MBE Growth of 2.3μm InGaAsSb/AlGaAsSb Strained Multiple Quantum Well Diode Lasers

Zhang, T.C. / Ni, Q.F. / Liu, X.Z. / Yu, B. / Wang, Y.X. / Zhang, Y. / Ma, X.P. / Wang, Y.B. / Xu, Y.

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Titel:

MBE Growth of 2.3μm InGaAsSb/AlGaAsSb Strained Multiple Quantum Well Diode Lasers

Beteiligte:

Zhang, T.C. (Autor:in) / Ni, Q.F. (Autor:in) / Liu, X.Z. (Autor:in) / Yu, B. (Autor:in) / Wang, Y.X. (Autor:in) / Zhang, Y. (Autor:in) / Ma, X.P. (Autor:in) / Wang, Y.B. (Autor:in) / Xu, Y. (Autor:in) / Fu, Y.

Erschienen in:

Advances in Optics Manufacture ; 389-392

KEY ENGINEERING MATERIALS ; 552

Erscheinungsdatum:

01.01.2013

Format / Umfang:

4 pages

ISSN:

1013-9826

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

DDC: 620.11

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