Epitaxial growth and electrical properties of ultrathin La"2Hf"2O"7 high-k gate dielectric films: Fid-Bau Portal

Epitaxial growth and electrical properties of ultrathin La"2Hf"2O"7 high-k gate dielectric films

Xiong, Y. H. / Tu, H. L. / Du, J. / Wei, F. / Zhang, X. Q. / Yang, M. M. / Zhao, H. B. / Chen, D. P. / Wang, W. W.

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Titel:

Epitaxial growth and electrical properties of ultrathin La"2Hf"2O"7 high-k gate dielectric films

Beteiligte:

Xiong, Y. H. (Autor:in) / Tu, H. L. (Autor:in) / Du, J. (Autor:in) / Wei, F. (Autor:in) / Zhang, X. Q. (Autor:in) / Yang, M. M. (Autor:in) / Zhao, H. B. (Autor:in) / Chen, D. P. (Autor:in) / Wang, W. W. (Autor:in)

Erschienen in:

APPLIED SURFACE SCIENCE ; 283 ; 554-558

Erscheinungsdatum:

01.01.2013

Format / Umfang:

5 pages

ISSN:

0169-4332

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

DDC: 621.35

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