Vertical Transistor with Ultrathin Silicon Nitride Gate Dielectric: Fid-Bau Portal

Vertical Transistor with Ultrathin Silicon Nitride Gate Dielectric

Moradi, M. / Nathan, A. / Haverinen, H. M. / Jabbour, G. E.

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Titel:

Vertical Transistor with Ultrathin Silicon Nitride Gate Dielectric

Beteiligte:

Moradi, M. (Autor:in) / Nathan, A. (Autor:in) / Haverinen, H. M. (Autor:in) / Jabbour, G. E. (Autor:in)

Erschienen in:

ADVANCED MATERIALS -DEERFIELD BEACH THEN WEINHEIM- ; 21 ; 4505-4510

Erscheinungsdatum:

01.01.2009

Format / Umfang:

6 pages

ISSN:

0935-9648

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

DDC: 620.11

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