Bias voltage dependence properties of Nb-doped indium tin oxide thin films by RF magnetron sputtering at room temperature: Fid-Bau Portal

Bias voltage dependence properties of Nb-doped indium tin oxide thin films by RF magnetron sputtering at room temperature

Li, S. n. / Ma, R. x. / Ma, C. h. / Xiao, Y. q. / Li, D. r. / He, L. w. / Zhu, H. m.

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Titel:

Bias voltage dependence properties of Nb-doped indium tin oxide thin films by RF magnetron sputtering at room temperature

Beteiligte:

Li, S. n. (Autor:in) / Ma, R. x. (Autor:in) / Ma, C. h. (Autor:in) / Xiao, Y. q. (Autor:in) / Li, D. r. (Autor:in) / He, L. w. (Autor:in) / Zhu, H. m. (Autor:in)

Erschienen in:

MATERIALS SCIENCE IN SEMICONDUCTOR PROCESSING ; 17 ; 216-221

Erscheinungsdatum:

01.01.2014

Format / Umfang:

6 pages

ISSN:

1369-8001

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

DDC: 621.38152

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