Special Issue: The route to post-Si CMOS devices: From high mobility channels to graphene-like 2D nanosheets: Fid-Bau Portal

Special Issue: The route to post-Si CMOS devices: From high mobility channels to graphene-like 2D nanosheets

Molle, A. / Dimoulas, A. / Le Lay, G. / Lemme, M.

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Titel:

Special Issue: The route to post-Si CMOS devices: From high mobility channels to graphene-like 2D nanosheets

Beteiligte:

Molle, A. (Autor:in) / Dimoulas, A. (Autor:in) / Le Lay, G. (Autor:in) / Lemme, M. (Autor:in) / Molle, A. / Dimoulas, A. / Le Lay, G. / Lemme, M.

Erschienen in:

E-MRS 2013 Spring Meeting , Symposium I: The route to post-Si CMOS devices: from high mobility channels to graphene-like 2D nanosheets ; 1-2

APPLIED SURFACE SCIENCE ; 291

Erscheinungsdatum:

01.01.2014

Format / Umfang:

2 pages

ISSN:

0169-4332

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

DDC: 621.35

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