Growth and Characterization of Ge~1~-~xSn~x Layers for High Mobility Tensile-Strained Ge Channels of CMOS Devices: Fid-Bau Portal

Growth and Characterization of Ge~1~-~xSn~x Layers for High Mobility Tensile-Strained Ge Channels of CMOS Devices

Nakatsuka, O. / Shimura, Y. / Takeuchi, S. / Tsutsui, N. / Zaima, S.

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Titel:

Growth and Characterization of Ge~1~-~xSn~x Layers for High Mobility Tensile-Strained Ge Channels of CMOS Devices

Beteiligte:

Nakatsuka, O. (Autor:in) / Shimura, Y. (Autor:in) / Takeuchi, S. (Autor:in) / Tsutsui, N. (Autor:in) / Zaima, S. (Autor:in) / Nie, J.-F. / Morton, A.

Erschienen in:

PRICM7 PART 2 ; 1788-1791

MATERIALS SCIENCE FORUM ; 654/656

Erscheinungsdatum:

01.01.2010

Format / Umfang:

4 pages

ISSN:

0255-5476

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

DDC: 620.11

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