Eine Plattform für die Wissenschaft: Bauingenieurwesen, Architektur und Urbanistik
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Ohmic contact formation process on low n-type gallium arsenide (GaAs) using indium gallium zinc oxide (IGZO)
Ohmic contact formation process on low n-type gallium arsenide (GaAs) using indium gallium zinc oxide (IGZO)
Ohmic contact formation process on low n-type gallium arsenide (GaAs) using indium gallium zinc oxide (IGZO)
Yang, S. U. (Autor:in) / Jung, W. S. (Autor:in) / Lee, I. Y. (Autor:in) / Jung, H. W. (Autor:in) / Kim, G. H. (Autor:in) / Park, J. H. (Autor:in)
MATERIALS RESEARCH BULLETIN ; 50 ; 409-412
01.01.2014
4 pages
Aufsatz (Zeitschrift)
Englisch
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