Low Energy Proton Radiation Impact on 4H-SiC nMOSFET Gate Oxide Stability: Fid-Bau Portal

Low Energy Proton Radiation Impact on 4H-SiC nMOSFET Gate Oxide Stability

Florentin, M. / Alexandru, M. / Constant, A. / Schmidt, B. / Millan, J. / Godignon, P.

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Titel:

Low Energy Proton Radiation Impact on 4H-SiC nMOSFET Gate Oxide Stability

Beteiligte:

Florentin, M. (Autor:in) / Alexandru, M. (Autor:in) / Constant, A. (Autor:in) / Schmidt, B. (Autor:in) / Millan, J. (Autor:in) / Godignon, P. (Autor:in) / Okumura, H. / Harima, H. / Kimoto, T. / Yoshimoto, M.

Erschienen in:

Silicon Carbide and Related Materials 2013 PART 1 Selected, peer reviewed papers from the 15^t^h International Conference on Silicon Carbide and Related Materials, (ICSCRM 2013), September 29 - October 4, 2013, Miyazaki, Japan ; 525-528

MATERIALS SCIENCE FORUM ; 778/780

Erscheinungsdatum:

01.01.2014

Format / Umfang:

4 pages

ISSN:

0255-5476

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

DDC: 620.11

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