Low leakage and high performance of nMOSFET using SiGe layer as a diffusion barrier: Fid-Bau Portal

Low leakage and high performance of nMOSFET using SiGe layer as a diffusion barrier

Mheen, B. / Song, Y. J. / Kang, J. Y. / Shim, K. H. / Hong, S.

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Titel:

Low leakage and high performance of nMOSFET using SiGe layer as a diffusion barrier

Beteiligte:

Mheen, B. (Autor:in) / Song, Y. J. (Autor:in) / Kang, J. Y. (Autor:in) / Shim, K. H. (Autor:in) / Hong, S. (Autor:in)

Erschienen in:

MATERIALS SCIENCE IN SEMICONDUCTOR PROCESSING ; 7 ; 375-378

Erscheinungsdatum:

01.01.2004

Format / Umfang:

4 pages

ISSN:

1369-8001

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

DDC: 621.38152

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