Step-Bunching Dependence of the Lifetime of MOS Capacitor on 4^o Off-Axis Si-Face 4H-SiC Epitaxial Wafers: Fid-Bau Portal

Step-Bunching Dependence of the Lifetime of MOS Capacitor on 4^o Off-Axis Si-Face 4H-SiC Epitaxial Wafers

Bandoh, A. / Suzuki, K. / Miyasaka, Y. / Osawa, H. / Sato, T.

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Titel:

Step-Bunching Dependence of the Lifetime of MOS Capacitor on 4^o Off-Axis Si-Face 4H-SiC Epitaxial Wafers

Beteiligte:

Bandoh, A. (Autor:in) / Suzuki, K. (Autor:in) / Miyasaka, Y. (Autor:in) / Osawa, H. (Autor:in) / Sato, T. (Autor:in) / Okumura, H. / Harima, H. / Kimoto, T. / Yoshimoto, M. / Watanabe, H.

Erschienen in:

Silicon Carbide and Related Materials 2013 PART 1 Selected, peer reviewed papers from the 15^t^h International Conference on Silicon Carbide and Related Materials, (ICSCRM 2013), September 29 - October 4, 2013, Miyazaki, Japan ; 611-614

MATERIALS SCIENCE FORUM ; 778/780

Erscheinungsdatum:

01.01.2014

Format / Umfang:

4 pages

ISSN:

0255-5476

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

DDC: 620.11

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