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    Dokumentinformationen
    Titel:

    Impact of Hot Carrier Degradation and Positive Bias Temperature Stress on Lateral 4H-SiC nMOSFETs

    Beteiligte:

    Pobegen, G. (Autor:in) / Aichinger, T. (Autor:in) / Salinaro, A. (Autor:in) / Grasser, T. (Autor:in) / Okumura, H. / Harima, H. / Kimoto, T. / Yoshimoto, M. / Watanabe, H. / Hatayama, T.

    Erschienen in:

    Silicon Carbide and Related Materials 2013 ; 959-962

    MATERIALS SCIENCE FORUM ; 778/780

    Erscheinungsdatum:

    01.01.2014

    Format / Umfang:

    4 pages

    ISSN:

    0255-5476

    Medientyp:

    Aufsatz (Zeitschrift)

    Format:

    Print

    Sprache:

    Englisch

    Klassifikation:

    DDC:  620.11

    © Metadata Copyright the British Library Board and other contributors. All rights reserved.

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