Influence of molybdenum source/drain electrode contact resistance in amorphous zinc-tin-oxide (a-ZTO) thin film transistors: Fid-Bau Portal

Influence of molybdenum source/drain electrode contact resistance in amorphous zinc-tin-oxide (a-ZTO) thin film transistors

Han, D. S. / Kang, Y. J. / Park, J. H. / Jeon, H. T. / Park, J. W.

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Titel:

Influence of molybdenum source/drain electrode contact resistance in amorphous zinc-tin-oxide (a-ZTO) thin film transistors

Beteiligte:

Han, D. S. (Autor:in) / Kang, Y. J. (Autor:in) / Park, J. H. (Autor:in) / Jeon, H. T. (Autor:in) / Park, J. W. (Autor:in) / Boo, J.-H. / Greenblatt, M. / Nam, T.-h. / Song, C. S. / Xue, D.

Erschienen in:

Proceedings of the IFFM2013 - Vol. 1: Fundamentals of the functional materials and Vol. 2: Applications of the functional materials ; 174-177

MATERIALS RESEARCH BULLETIN ; 58

Erscheinungsdatum:

01.01.2014

Format / Umfang:

4 pages

ISSN:

0025-5408

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

DDC: 620.11 / 620

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