Kinetics of nitrogen incorporation at the SiO2/4H-SiC interface during an NO passivation: Fid-Bau Portal

Kinetics of nitrogen incorporation at the SiO2/4H-SiC interface during an NO passivation

Chen, Z. / Xu, Y. / Garfunkel, E. / Feldman, L. C. / Buyuklimanli, T. / Ou, W. / Serfass, J. / Wan, A. / Dhar, S.

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Titel:

Kinetics of nitrogen incorporation at the SiO2/4H-SiC interface during an NO passivation

Beteiligte:

Chen, Z. (Autor:in) / Xu, Y. (Autor:in) / Garfunkel, E. (Autor:in) / Feldman, L. C. (Autor:in) / Buyuklimanli, T. (Autor:in) / Ou, W. (Autor:in) / Serfass, J. (Autor:in) / Wan, A. (Autor:in) / Dhar, S. (Autor:in)

Erschienen in:

APPLIED SURFACE SCIENCE ; 317 ; 593-597

Erscheinungsdatum:

01.01.2014

Format / Umfang:

5 pages

ISSN:

0169-4332

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

DDC: 621.35

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