Influence of nitrogen incorporation in ultrathin SiO2 on the structure and electronic states of the SiO2/Si(100) interface: Fid-Bau Portal

Influence of nitrogen incorporation in ultrathin SiO2 on the structure and electronic states of the SiO2/Si(100) interface

Miyazaki, S. / Tamura, T. / Ogasawara, M. / Itokawa, H. / Murakami, H. / Hirose, M.

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Titel:

Influence of nitrogen incorporation in ultrathin SiO2 on the structure and electronic states of the SiO2/Si(100) interface

Beteiligte:

Miyazaki, S. (Autor:in) / Tamura, T. (Autor:in) / Ogasawara, M. (Autor:in) / Itokawa, H. (Autor:in) / Murakami, H. (Autor:in) / Hirose, M. (Autor:in)

Erschienen in:

APPLIED SURFACE SCIENCE ; 159-160 ; 75-82

Erscheinungsdatum:

01.01.2000

Format / Umfang:

8 pages

ISSN:

0169-4332

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

DDC: 621.35

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