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    Titel:

    Hydrogen induced interface passivation in atomic layer deposited Al2O3 films and Al2O3/SiO2 stacks

    Beteiligte:

    Li, Shizheng (Autor:in) / Yang, Ning (Autor:in) / Yuan, Xiao (Autor:in) / Liu, Cui (Autor:in) / Ye, Xiaojun (Autor:in) / Li, Hongbo (Autor:in)

    Erschienen in:

    Materials science in semiconductor processing ; 83 ; 171-174

    Erscheinungsdatum:

    01.01.2018

    Format / Umfang:

    4 pages

    ISSN:

    1369-8001

    Medientyp:

    Aufsatz (Zeitschrift)

    Format:

    Print

    Sprache:

    Englisch

    Klassifikation:

    DDC:  621.38152

    © Metadata Copyright the British Library Board and other contributors. All rights reserved.

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