Memory programming of TiO2-x films by Conductive Atomic Force Microscopy evidencing filamentary resistive switching: Fid-Bau Portal

Memory programming of TiO2-x films by Conductive Atomic Force Microscopy evidencing filamentary resistive switching

Bousoulas, P. / Giannopoulos, J. / Giannakopoulos, K. / Dimitrakis, P. / Tsoukalas, D.

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Titel:

Memory programming of TiO2-x films by Conductive Atomic Force Microscopy evidencing filamentary resistive switching

Beteiligte:

Bousoulas, P. (Autor:in) / Giannopoulos, J. (Autor:in) / Giannakopoulos, K. (Autor:in) / Dimitrakis, P. (Autor:in) / Tsoukalas, D. (Autor:in)

Erschienen in:

APPLIED SURFACE SCIENCE ; 332 ; 55-61

Erscheinungsdatum:

01.01.2015

Format / Umfang:

7 pages

ISSN:

0169-4332

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

DDC: 621.35

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