High Mobility and Low Density of Trap States in Dual-Solid-Gated PbS Nanocrystal Field-Effect Transistors: Fid-Bau Portal

High Mobility and Low Density of Trap States in Dual-Solid-Gated PbS Nanocrystal Field-Effect Transistors

Nugraha, M. I. / Husermann, R. / Bisri, S. Z. / Matsui, H. / Sytnyk, M. / Heiss, W. / Takeya, J. / Loi, M. A.

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Nugraha, M. I. / Husermann, R. / Bisri, S. Z. / Matsui, H. / Sytnyk, M. / Heiss, W. / Takeya, J. / Loi, M. A.

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Titel:

High Mobility and Low Density of Trap States in Dual-Solid-Gated PbS Nanocrystal Field-Effect Transistors

Beteiligte:

Nugraha, M. I. (Autor:in) / Husermann, R. (Autor:in) / Bisri, S. Z. (Autor:in) / Matsui, H. (Autor:in) / Sytnyk, M. (Autor:in) / Heiss, W. (Autor:in) / Takeya, J. (Autor:in) / Loi, M. A. (Autor:in)

Erschienen in:

ADVANCED MATERIALS -DEERFIELD BEACH THEN WEINHEIM- ; 27 ; 2107-2112

Erscheinungsdatum:

01.01.2015

Format / Umfang:

6 pages

ISSN:

0935-9648

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

DDC: 620.11

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