Atomic layer deposition of AlN for thin membranes using trimethylaluminum and H2/N2 plasma: Fid-Bau Portal

Atomic layer deposition of AlN for thin membranes using trimethylaluminum and H2/N2 plasma

Goerke, S. / Ziegler, M. / Ihring, A. / Dellith, J. / Undisz, A. / Diegel, M. / Anders, S. / Huebner, U. / Rettenmayr, M. / Meyer, H. G.

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Titel:

Atomic layer deposition of AlN for thin membranes using trimethylaluminum and H2/N2 plasma

Beteiligte:

Goerke, S. (Autor:in) / Ziegler, M. (Autor:in) / Ihring, A. (Autor:in) / Dellith, J. (Autor:in) / Undisz, A. (Autor:in) / Diegel, M. (Autor:in) / Anders, S. (Autor:in) / Huebner, U. (Autor:in) / Rettenmayr, M. (Autor:in) / Meyer, H. G. (Autor:in)

Erschienen in:

APPLIED SURFACE SCIENCE ; 338 ; 35-41

Erscheinungsdatum:

01.01.2015

Format / Umfang:

7 pages

ISSN:

0169-4332

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

DDC: 621.35

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