Formation of Ge^0 and GeOx nanoclusters in Ge^+-implanted SiO2/Si thin-film heterostructures under rapid thermal annealing: Fid-Bau Portal

Formation of Ge^0 and GeOx nanoclusters in Ge^+-implanted SiO2/Si thin-film heterostructures under rapid thermal annealing

Zatsepin, A. F. / Zatsepin, D. A. / Zhidkov, I. S. / Kurmaev, E. Z. / Fitting, H. J. / Schmidt, B. / Mikhailovich, A. P. / Lawniczak-Jablonska, K.

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Titel:

Formation of Ge^0 and GeOx nanoclusters in Ge^+-implanted SiO2/Si thin-film heterostructures under rapid thermal annealing

Beteiligte:

Zatsepin, A. F. (Autor:in) / Zatsepin, D. A. (Autor:in) / Zhidkov, I. S. (Autor:in) / Kurmaev, E. Z. (Autor:in) / Fitting, H. J. (Autor:in) / Schmidt, B. (Autor:in) / Mikhailovich, A. P. (Autor:in) / Lawniczak-Jablonska, K. (Autor:in)

Erschienen in:

APPLIED SURFACE SCIENCE ; 349 ; 780-784

Erscheinungsdatum:

01.01.2015

Format / Umfang:

5 pages

ISSN:

0169-4332

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

DDC: 621.35

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