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    Titel:

    Drastic reduction of RRAM reset current via plasma oxidization of TaOx film

    Beteiligte:

    Chen, X. (Autor:in) / Feng, J. (Autor:in) / Bae, D. (Autor:in)

    Erschienen in:

    APPLIED SURFACE SCIENCE ; 324 ; 275-279

    Erscheinungsdatum:

    01.01.2015

    Format / Umfang:

    5 pages

    ISSN:

    0169-4332

    Medientyp:

    Aufsatz (Zeitschrift)

    Format:

    Print

    Sprache:

    Englisch

    Klassifikation:

    DDC:  621.35

    © Metadata Copyright the British Library Board and other contributors. All rights reserved.

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