Growth kinetics for temperature-controlled atomic layer deposition of GaN using trimethylgallium and remote-plasma-excited NH3: Fid-Bau Portal

Growth kinetics for temperature-controlled atomic layer deposition of GaN using trimethylgallium and remote-plasma-excited NH3

Pansila, P. / Kanomata, K. / Miura, M. / Ahmmad, B. / Kubota, S. / Hirose, F.

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Titel:

Growth kinetics for temperature-controlled atomic layer deposition of GaN using trimethylgallium and remote-plasma-excited NH3

Beteiligte:

Pansila, P. (Autor:in) / Kanomata, K. (Autor:in) / Miura, M. (Autor:in) / Ahmmad, B. (Autor:in) / Kubota, S. (Autor:in) / Hirose, F. (Autor:in)

Erschienen in:

APPLIED SURFACE SCIENCE ; 357 ; 1920-1927

Erscheinungsdatum:

01.01.2015

Format / Umfang:

8 pages

ISSN:

0169-4332

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

DDC: 621.35

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