In situ atomic layer nitridation on the top and down regions of the amorphous and crystalline high-K gate dielectrics: Fid-Bau Portal

In situ atomic layer nitridation on the top and down regions of the amorphous and crystalline high-K gate dielectrics

Tsai, M. C. / Lee, M. H. / Kuo, C. L. / Lin, H. C. / Chen, M. J.

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Titel:

In situ atomic layer nitridation on the top and down regions of the amorphous and crystalline high-K gate dielectrics

Beteiligte:

Tsai, M. C. (Autor:in) / Lee, M. H. (Autor:in) / Kuo, C. L. (Autor:in) / Lin, H. C. (Autor:in) / Chen, M. J. (Autor:in)

Erschienen in:

APPLIED SURFACE SCIENCE ; 387 ; 274-279

Erscheinungsdatum:

01.01.2016

Format / Umfang:

6 pages

ISSN:

0169-4332

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

DDC: 621.35

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