Atomic layer deposition of CeO2/HfO2 gate dielectrics on Ge substrate: Fid-Bau Portal

Atomic layer deposition of CeO2/HfO2 gate dielectrics on Ge substrate

Maeng, W. J. / Oh, I. K. / Kim, W. H. / Kim, M. K. / Lee, C. W. / Lansalot-Matras, C. / Thompson, D. / Chu, S. / Kim, H.

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Maeng, W. J. / Oh, I. K. / Kim, W. H. / Kim, M. K. / Lee, C. W. / Lansalot-Matras, C. / Thompson, D. / Chu, S. / Kim, H.

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Titel:

Atomic layer deposition of CeO2/HfO2 gate dielectrics on Ge substrate

Beteiligte:

Maeng, W. J. (Autor:in) / Oh, I. K. (Autor:in) / Kim, W. H. (Autor:in) / Kim, M. K. (Autor:in) / Lee, C. W. (Autor:in) / Lansalot-Matras, C. (Autor:in) / Thompson, D. (Autor:in) / Chu, S. (Autor:in) / Kim, H. (Autor:in)

Erschienen in:

APPLIED SURFACE SCIENCE ; 321 ; 214-218

Erscheinungsdatum:

01.01.2014

Format / Umfang:

5 pages

ISSN:

0169-4332

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

DDC: 621.35

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