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Defect evolution and dopant activation in laser annealed Si and Ge

Cristiano, F. / Shayesteh, M. / Duffy, R. / Huet, K. / Mazzamuto, F. / Qiu, Y. / Quillec, M. / Henrichsen, H.H. / Nielsen, P.F. / Petersen, D.H. / ... [mehr]

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Titel:

Defect evolution and dopant activation in laser annealed Si and Ge

Beteiligte:

Cristiano, F. (Autor:in) / Shayesteh, M. (Autor:in) / Duffy, R. (Autor:in) / Huet, K. (Autor:in) / Mazzamuto, F. (Autor:in) / Qiu, Y. (Autor:in) / Quillec, M. (Autor:in) / Henrichsen, H.H. (Autor:in) / Nielsen, P.F. (Autor:in) / Petersen, D.H. (Autor:in)

Erschienen in:

Materials science in semiconductor processing ; 42 ; 188-195

Erscheinungsdatum:

01.01.2016

Format / Umfang:

8 pages

ISSN:

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Print

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

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