Atomistic modeling of dopant implantation and annealing in Si: damage evolution, dopant diffusion and activation: Fid-Bau Portal

Atomistic modeling of dopant implantation and annealing in Si: damage evolution, dopant diffusion and activation

Pelaz, L. / Marqués, L. A. / Aboy, M. / López, P. / Barbolla, J.

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Titel:

Atomistic modeling of dopant implantation and annealing in Si: damage evolution, dopant diffusion and activation

Beteiligte:

Pelaz, L. (Autor:in) / Marqués, L. A. (Autor:in) / Aboy, M. (Autor:in) / López, P. (Autor:in) / Barbolla, J. (Autor:in)

Erschienen in:

COMPUTATIONAL MATERIALS SCIENCE ; 33 ; 92-105

Erscheinungsdatum:

01.01.2005

Format / Umfang:

14 pages

ISSN:

0927-0256

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

DDC: 620.1 / 510

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