Capacitance–conductance–current–voltage characteristics of atomic layer deposited Au/Ti/Al2O3/n-GaAs MIS structures: Fid-Bau Portal

Capacitance–conductance–current–voltage characteristics of atomic layer deposited Au/Ti/Al2O3/n-GaAs MIS structures

Turut, A. / Karabulut, A. / Ejderha, K. / Bıyıklı, N.

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Titel:

Capacitance–conductance–current–voltage characteristics of atomic layer deposited Au/Ti/Al2O3/n-GaAs MIS structures

Beteiligte:

Turut, A. (Autor:in) / Karabulut, A. (Autor:in) / Ejderha, K. (Autor:in) / Bıyıklı, N. (Autor:in)

Erschienen in:

Materials science in semiconductor processing ; 39 ; 400-407

Erscheinungsdatum:

01.01.2015

Format / Umfang:

8 pages

ISSN:

1369-8001

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

DDC: 621.38152

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