Fachinformationsdienst BAUdigital

Eine Plattform für die Wissenschaft: Bauingenieurwesen, Architektur und Urbanistik

    Comparative study of threading dislocations in GaN epitaxial layers by nondestructive methods

    Neue Suche nach: Romanitan, Cosmin
    Neue Suche nach: Gavrila, Raluca
    Neue Suche nach: Danila, Mihai

    Zugriff

    Zugriff über TIB
    Verfügbarkeit in meiner Bibliothek prüfen
    Bestellung bei Subito €

    Zugriff

    Zugriff über TIB
    Verfügbarkeit in meiner Bibliothek prüfen
    Bestellung bei Subito €

    Seitennavigation

    Dokumentinformationen
    Ähnliche Titel

    Exportieren, teilen und zitieren

    Comparative study of threading dislocations in GaN epitaxial layers by nondestructive methods

    Neue Suche nach: Romanitan, Cosmin
    Neue Suche nach: Gavrila, Raluca
    Neue Suche nach: Danila, Mihai

    Zugriff

    Zugriff über TIB
    Verfügbarkeit in meiner Bibliothek prüfen
    Bestellung bei Subito €

    Comparative study of threading dislocations in GaN epitaxial layers by nondestructive methods

    Neue Suche nach: Romanitan, Cosmin
    Neue Suche nach: Gavrila, Raluca
    Neue Suche nach: Danila, Mihai

    Zugriff

    Zugriff über TIB
    Verfügbarkeit in meiner Bibliothek prüfen
    Bestellung bei Subito €

    Zugriff

    Zugriff über TIB
    Verfügbarkeit in meiner Bibliothek prüfen
    Bestellung bei Subito €

    Seitennavigation

    Dokumentinformationen
    Ähnliche Titel

    Exportieren, teilen und zitieren

    Dokumentinformationen
    Titel:

    Comparative study of threading dislocations in GaN epitaxial layers by nondestructive methods

    Beteiligte:

    Romanitan, Cosmin (Autor:in) / Gavrila, Raluca (Autor:in) / Danila, Mihai (Autor:in)

    Erschienen in:

    Materials science in semiconductor processing ; 57 ; 32-38

    Erscheinungsdatum:

    01.01.2017

    Format / Umfang:

    7 pages

    ISSN:

    1369-8001

    Medientyp:

    Aufsatz (Zeitschrift)

    Format:

    Print

    Sprache:

    Englisch

    Klassifikation:

    DDC:  621.38152

    © Metadata Copyright the British Library Board and other contributors. All rights reserved.

    Ähnliche Titel

    Comparative study of threading dislocations in GaN epitaxial layers by nondestructive methods

    Romanitan, Cosmin / Gavrila, Raluca / Danila, Mihai | British Library Online Contents | 2017

    Device assessment of the electrical activity of threading dislocations in strained Ge epitaxial layers

    Simoen, E. / Brouwers, G. / Eneman, G. et al. | British Library Online Contents | 2008

    Threading dislocations in Ba0.7Sr0.3TiO3/La0.7Sr0.3MnO3 epitaxial films grown on (001) LaAlO3 substrate

    Qi, X. Y. / Miao, J. / Duan, X. F. et al. | British Library Online Contents | 2006

    Conversion of Basal Plane Dislocations to Threading Edge Dislocations in Growth of Epitaxial Layers on 4H-SiC Substrates with a Vicinal Off-Angle

    Masumoto, K. / Ito, S. / Goto, H. et al. | British Library Online Contents | 2014

    A finite element study of threading dislocations

    Stigh, U. | British Library Online Contents | 1993

    Nach oben