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    Titel:

    Ultrathin SiO2 layer formed by the nitric acid oxidation of Si (NAOS) method to improve the thermal-SiO2/Si interface for crystalline Si solar cells

    Beteiligte:

    Matsumoto, Taketoshi (Autor:in) / Nakajima, Hiroki (Autor:in) / Irishika, Daichi (Autor:in) / Nonaka, Takaaki (Autor:in) / Imamura, Kentaro (Autor:in) / Kobayashi, Hikaru (Autor:in)

    Erschienen in:

    Applied surface science ; 395 ; 56-60

    Erscheinungsdatum:

    01.01.2017

    Format / Umfang:

    5 pages

    ISSN:

    0169-4332

    Medientyp:

    Aufsatz (Zeitschrift)

    Format:

    Print

    Sprache:

    Englisch

    Klassifikation:

    DDC:  620.44

    © Metadata Copyright the British Library Board and other contributors. All rights reserved.

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