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    Dokumentinformationen
    Titel:

    Low temperature fabrication of 510nm SiO2/Si structure using advanced nitric acid oxidation of silicon (NAOS) method

    Beteiligte:

    Fukaya, Y. (Autor:in) / Yanase, T. (Autor:in) / Kubota, Y. (Autor:in) / Imai, S. (Autor:in) / Matsumoto, T. (Autor:in) / Kobayashi, H. (Autor:in)

    Erschienen in:

    APPLIED SURFACE SCIENCE ; 256 ; 5610-5613

    Erscheinungsdatum:

    01.01.2010

    Format / Umfang:

    4 pages

    ISSN:

    0169-4332

    Medientyp:

    Aufsatz (Zeitschrift)

    Format:

    Print

    Sprache:

    Englisch

    Klassifikation:

    DDC:  621.35

    © Metadata Copyright the British Library Board and other contributors. All rights reserved.

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