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    Titel:

    Nitric acid oxidation of Si (NAOS) method for low temperature fabrication of SiO2/Si and SiO2/SiC structures

    Beteiligte:

    Kobayashi, H. (Autor:in) / Imamura, K. (Autor:in) / Kim, W. B. (Autor:in) / Im, S. S. (Autor:in)

    Erschienen in:

    APPLIED SURFACE SCIENCE ; 256 ; 5744-5756

    Erscheinungsdatum:

    01.01.2010

    Format / Umfang:

    13 pages

    ISSN:

    0169-4332

    Medientyp:

    Aufsatz (Zeitschrift)

    Format:

    Print

    Sprache:

    Englisch

    Klassifikation:

    DDC:  621.35

    © Metadata Copyright the British Library Board and other contributors. All rights reserved.

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