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    Dokumentinformationen
    Titel:

    A robust and area-efficient guard ring edge termination technique for 4H-SiC power MOSFETs

    Beteiligte:

    Deng, Xiaochuan (Autor:in) / Guo, Yuanxu (Autor:in) / Dai, Tianxiang (Autor:in) / Li, Chengzhan (Autor:in) / Chen, Ximing (Autor:in) / Chen, Wanjun (Autor:in) / Zhang, Yourun (Autor:in) / Zhang, Bo (Autor:in)

    Erschienen in:

    Materials science in semiconductor processing ; 68 ; 108-113

    Erscheinungsdatum:

    01.01.2017

    Format / Umfang:

    6 pages

    ISSN:

    1369-8001

    Medientyp:

    Aufsatz (Zeitschrift)

    Format:

    Print

    Sprache:

    Englisch

    Klassifikation:

    DDC:  621.38152

    © Metadata Copyright the British Library Board and other contributors. All rights reserved.

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