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    Titel:

    Tensile strain ultra thin body SiGe on insulator through hetero-layer transfer technique

    Beteiligte:

    Chang, Wen Hsin (Autor:in) / Hattori, Hiroyuki (Autor:in) / Ishii, Hiroyuki (Autor:in) / Irisawa, Toshifumi (Autor:in) / Uchida, Noriyuki (Autor:in) / Maeda, Tatsuro (Autor:in)

    Erschienen in:

    Materials science in semiconductor processing ; 70 ; 123-126

    Erscheinungsdatum:

    01.01.2017

    Format / Umfang:

    4 pages

    ISSN:

    1369-8001

    Medientyp:

    Aufsatz (Zeitschrift)

    Format:

    Print

    Sprache:

    Englisch

    Klassifikation:

    DDC:  621.38152

    © Metadata Copyright the British Library Board and other contributors. All rights reserved.

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