Fachinformationsdienst BAUdigital

Eine Plattform für die Wissenschaft: Bauingenieurwesen, Architektur und Urbanistik

    Improved interface and electrical properties of atomic layer deposited Al2O3/4H-SiC

    Neue Suche nach: Suvanam, Sethu Saveda
    Neue Suche nach: Usman, Muhammed
    Neue Suche nach: Martin, David
    Neue Suche nach: Yazdi, Milad. G.
    Neue Suche nach: Linnarsson, Margareta
    Neue Suche nach: Tempez, Agnès
    Neue Suche nach: Götelid, Mats
    Neue Suche nach: Hallén, Anders

    Zugriff

    Zugriff über TIB
    Verfügbarkeit in meiner Bibliothek prüfen
    Bestellung bei Subito €

    Zugriff

    Zugriff über TIB
    Verfügbarkeit in meiner Bibliothek prüfen
    Bestellung bei Subito €

    Seitennavigation

    Dokumentinformationen
    Ähnliche Titel

    Exportieren, teilen und zitieren

    Improved interface and electrical properties of atomic layer deposited Al2O3/4H-SiC

    Neue Suche nach: Suvanam, Sethu Saveda
    Neue Suche nach: Usman, Muhammed
    Neue Suche nach: Martin, David
    Neue Suche nach: Yazdi, Milad. G.
    Neue Suche nach: Linnarsson, Margareta
    Neue Suche nach: Tempez, Agnès
    Neue Suche nach: Götelid, Mats
    Neue Suche nach: Hallén, Anders

    Zugriff

    Zugriff über TIB
    Verfügbarkeit in meiner Bibliothek prüfen
    Bestellung bei Subito €

    Improved interface and electrical properties of atomic layer deposited Al2O3/4H-SiC

    Neue Suche nach: Suvanam, Sethu Saveda
    Neue Suche nach: Usman, Muhammed
    Neue Suche nach: Martin, David
    Neue Suche nach: Yazdi, Milad. G.
    Neue Suche nach: Linnarsson, Margareta
    Neue Suche nach: Tempez, Agnès
    Neue Suche nach: Götelid, Mats
    Neue Suche nach: Hallén, Anders

    Zugriff

    Zugriff über TIB
    Verfügbarkeit in meiner Bibliothek prüfen
    Bestellung bei Subito €

    Zugriff

    Zugriff über TIB
    Verfügbarkeit in meiner Bibliothek prüfen
    Bestellung bei Subito €

    Seitennavigation

    Dokumentinformationen
    Ähnliche Titel

    Exportieren, teilen und zitieren

    Dokumentinformationen
    Titel:

    Improved interface and electrical properties of atomic layer deposited Al2O3/4H-SiC

    Beteiligte:

    Suvanam, Sethu Saveda (Autor:in) / Usman, Muhammed (Autor:in) / Martin, David (Autor:in) / Yazdi, Milad. G. (Autor:in) / Linnarsson, Margareta (Autor:in) / Tempez, Agnès (Autor:in) / Götelid, Mats (Autor:in) / Hallén, Anders (Autor:in)

    Erschienen in:

    Applied surface science ; 433 ; 108-115

    Erscheinungsdatum:

    01.01.2018

    Format / Umfang:

    8 pages

    ISSN:

    0169-4332

    Medientyp:

    Aufsatz (Zeitschrift)

    Format:

    Print

    Sprache:

    Englisch

    Klassifikation:

    DDC:  620.44

    © Metadata Copyright the British Library Board and other contributors. All rights reserved.

    Ähnliche Titel

    Improved interface and electrical properties of atomic layer deposited Al2O3/4H-SiC

    Suvanam, Sethu Saveda / Usman, Muhammed / Martin, David et al. | British Library Online Contents | 2018

    Hydrogen induced interface passivation in atomic layer deposited Al2O3 films and Al2O3/SiO2 stacks

    Li, Shizheng / Yang, Ning / Yuan, Xiao et al. | British Library Online Contents | 2018

    Hydrogen induced interface passivation in atomic layer deposited Al2O3 films and Al2O3/SiO2 stacks

    Li, Shizheng / Yang, Ning / Yuan, Xiao et al. | British Library Online Contents | 2018

    Atomic-layer-deposited (ALD) Al2O3 passivation dependent interface chemistry, band alignment and electrical properties of HfYO/Si gate stacks

    Liang, Shuang / He, Gang / Wang, Die et al. | British Library Online Contents | 2019

    Reduced impurities and improved electrical properties of atomic-layer-deposited HfO2 film grown at a low temperature (100C) by Al2O3 incorporation

    Park, T. J. / Byun, Y. / Wallace, R. M. et al. | British Library Online Contents | 2016

    Nach oben