Formation of black silicon using SiGe self-assembled islands as a mask for selective anisotropic etching of silicon: Fid-Bau Portal

Formation of black silicon using SiGe self-assembled islands as a mask for selective anisotropic etching of silicon

Yurasov, D.V. / Novikov, A.V. / Shaleev, M.V. / Baidakova, N.A. / Morozova, E.E. / Skorokhodov, E.V. / Ota, Y. / Hombe, A. / Kurokawa, Y. / Usami, N.

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Yurasov, D.V. / Novikov, A.V. / Shaleev, M.V. / Baidakova, N.A. / Morozova, E.E. / Skorokhodov, E.V. / Ota, Y. / Hombe, A. / Kurokawa, Y. / Usami, N.

Formation of black silicon using SiGe self-assembled islands as a mask for selective anisotropic etching of silicon

Yurasov, D.V. / Novikov, A.V. / Shaleev, M.V. / Baidakova, N.A. / Morozova, E.E. / Skorokhodov, E.V. / Ota, Y. / Hombe, A. / Kurokawa, Y. / Usami, N.

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Titel:

Formation of black silicon using SiGe self-assembled islands as a mask for selective anisotropic etching of silicon

Beteiligte:

Yurasov, D.V. (Autor:in) / Novikov, A.V. (Autor:in) / Shaleev, M.V. (Autor:in) / Baidakova, N.A. (Autor:in) / Morozova, E.E. (Autor:in) / Skorokhodov, E.V. (Autor:in) / Ota, Y. (Autor:in) / Hombe, A. (Autor:in) / Kurokawa, Y. (Autor:in) / Usami, N. (Autor:in)

Erschienen in:

Materials science in semiconductor processing ; 75 ; 143-148

Erscheinungsdatum:

01.01.2018

Format / Umfang:

6 pages

ISSN:

1369-8001

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

DDC: 621.38152

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