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    Dokumentinformationen
    Titel:

    High temperature current transport in gate oxides based (GaN)/AlGaN/GaN Schottky diodes

    Beteiligte:

    Osvald, J. (Autor:in) / Lalinský, T. (Autor:in) / Vanko, G. (Autor:in)

    Erschienen in:

    Applied surface science ; 461 ; 206-211

    Erscheinungsdatum:

    01.01.2018

    Format / Umfang:

    6 pages

    ISSN:

    0169-4332

    Medientyp:

    Aufsatz (Zeitschrift)

    Format:

    Print

    Sprache:

    Englisch

    Klassifikation:

    DDC:  620.44

    © Metadata Copyright the British Library Board and other contributors. All rights reserved.

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