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    Dokumentinformationen
    Titel:

    Comparative study of boron doped gate oxide impact on 4H and 6H-SiC n-MOSFETs

    Beteiligte:

    Cabello, Maria (Autor:in) / Soler, Victor (Autor:in) / Knoll, Lars (Autor:in) / Montserrat, Josep (Autor:in) / Rebollo, Jose (Autor:in) / Mihaila, Andrei (Autor:in) / Godignon, Philippe (Autor:in)

    Erschienen in:

    Materials science in semiconductor processing ; 93 ; 357-359

    Erscheinungsdatum:

    01.01.2019

    Format / Umfang:

    3 pages

    ISSN:

    1369-8001

    Medientyp:

    Aufsatz (Zeitschrift)

    Format:

    Print

    Sprache:

    Englisch

    Klassifikation:

    DDC:  621.38152

    © Metadata Copyright the British Library Board and other contributors. All rights reserved.

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